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onsemi FJP5027RTU
| Artikelnummer: | FJP5027RTU |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS NPN 800V 3A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.17 |
| 10+ | $1.043 |
| 100+ | $0.8133 |
| 500+ | $0.6719 |
| 1000+ | $0.5304 |
| 2000+ | $0.4951 |
| 5000+ | $0.4703 |
| 10000+ | $0.4526 |
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- Versandinformationen
- Verpackung
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onsemi FJP5027RTU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FJP5027RTU.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 800 V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 300mA, 1.5A Transistor-Typ NPN Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie - Leistung - max 50 W Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Frequenz - Übergang 15MHz DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 15 @ 200mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A Grundproduktnummer FJP5027 FJP5027RTU Einzelheiten PDF [English] FJP5027RTU PDF - EN.pdf -
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